Fotoelectrones de altas energías ayudan a analizar la superficie de materiales

Un equipo de investigadores españoles y belgas han analizado por primera vez la sensibilidad de la técnica denominada 'de emisión de fotoelectrones inducida por rayos-X de alta energía' en superficies de dióxido de silicio. Este material es esencial en el desarrollo y fabricación de diversos dispositivos microelectrónicos.



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